石英聚焦环与刻蚀环

石英聚焦环与刻蚀环

聚焦环（又称边缘环或刻蚀环）是等离子刻蚀和沉积腔体中围绕晶圆的精密环形石英零件。其功能包括：

• 电场聚焦 — 调整晶圆边缘等离子体鞘层均匀性
• 热均匀性 — 在晶圆周边传导或重新分配热量
• 边缘保护 — 在晶圆边缘消耗等离子体物种，保护静电吸盘
• 对准基准 — 将晶圆精确定位于静电吸盘中心

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标准几何规格

平面聚焦环

最简单的几何形状——平面环形片，具有严格的平面度和平行度要求。

晶圆尺寸	内径（标称）	外径（标称）	厚度	关键公差
6英寸（150 mm）	152 mm	220–280 mm	3–8 mm	外/内径 ±0.02 mm
8英寸（200 mm）	202 mm	280–360 mm	3–10 mm	外/内径 ±0.02 mm
12英寸（300 mm）	302 mm	380–460 mm	4–12 mm	外/内径 ±0.02 mm

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台阶/异形环

具有OEM指定台阶几何形状的复杂截面，与腔体硬件保形配合。

常见异形特征：

• 内边缘倒角（与晶圆边缘接触）
• 用于对准凸台或定位销的上台阶
• 用于安装螺钉间隙的沉孔
• 用于气流通道的底切

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等离子腐蚀寿命参考

石英聚焦环在等离子体暴露下逐渐腐蚀。使用寿命取决于等离子体化学、功率和偏置：

工艺	近似使用寿命
硅基刻蚀（SF₆/C₄F₈）	200–400 RF小时
金属刻蚀（Cl₂/BCl₃）	100–200 RF小时
氧化物刻蚀（CHF₃/CF₄）	300–600 RF小时
CVD（SiH₄/TEOS）	500–1000小时

图冠半导体按OEM几何规格供应兼容替换环。提供OEM零件号或图纸——我们将按 ±0.02 mm 精度复制。