陶瓷晶舟与载具

ALUMINA

陶瓷晶舟与载具

用于高温半导体工艺的高纯氧化铝和碳化硅晶圆载具、晶舟和卡匣——具有优异的耐磨性和抗热震能力。

支持按需定制尺寸和规格。

陶瓷晶圆载具与晶舟

陶瓷晶圆载具在以下应用场景中可替代石英晶舟:

  • 更高温度(> 1200°C)超出石英的持续使用极限
  • 优异的耐磨性——氧化铝和碳化硅耐受晶圆搬运产生的磨损
  • 抗热震性——碳化硅载具适用于快速热循环
  • 化学兼容性——石英可能因SiO₂对工艺造成污染的场合

材料选择指南

要求Al₂O₃ 99.5%Al₂O₃ 99.9%RB-SiC
最高温度1600°C1700°C1380°C
抗热震性中等中等优异
耐磨性极高
SiO₂污染风险
Al污染风险低(< ppm)极低(< ppb)
导热系数28 W/(m·K)35 W/(m·K)110 W/(m·K)
最佳工艺扩散、氧化超高纯度工艺RTP、快速循环

产品类型

卧式氧化铝晶舟

在炉管系统中需要1200°C以上温度或不允许SiO₂污染时,可直接替代石英晶舟。

晶圆尺寸槽数槽距整体尺寸材料
4”254.76 mm130 × 130 mmAl₂O₃ 99.5%
6”256.35 mm175 × 180 mmAl₂O₃ 99.5%
8”257.62 mm215 × 230 mmAl₂O₃ 99.5% 或 99.9%
12”259.52 mm265 × 335 mmAl₂O₃ 99.9%

碳化硅基座/载板

用于单片或小批量RTP系统的SiC平板。高导热系数提供出色的温度均匀性。

参数数值
平面度< 0.1 mm
表面粗糙度(晶圆接触面)Ra 0.4–0.8 μm
尺寸公差±0.1 mm
最高温度1380°C(RB-SiC)/ 1650°C(烧结SiC)
温度均匀性ΔT < 5°C(1000°C时跨晶圆测量)

加工精度

所有陶瓷载具均采用金刚石刀具加工:

特征氧化铝公差碳化硅公差
槽宽±0.05 mm±0.05 mm
槽距±0.1 mm±0.1 mm
整体尺寸±0.1 mm±0.1 mm
表面粗糙度Ra 0.4–1.6 μmRa 0.4–1.6 μm
平面度(载具底面)< 0.1 mm< 0.1 mm

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